电涌保护器生产商
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详细信息 纳米ZnO技术 1、高电位梯度:近年国内外的研究结果表明,ZnO芯片的电位梯度取决于单位厚度内的晶界数目,液相扩散控制ZnO晶粒的生长速度;而晶界数目又是由ZnO晶粒粒径所确定的,故减小ZnO晶粒粒径是提高ZnO芯片电位梯度的主要途径。 纳米ZnO是由极细晶粒组成,其特征维度尺寸(晶粒尺寸、晶界宽度、第二相分布等)是纳米数量级。以纳米ZnO为核心的高梯度配方的设计,能够有效增加晶界层数量、抑制晶粒生长速度及提高势垒高度,能够大幅提高单位面积的通流能力,能够大幅提高电位梯度。 2、高能量耐受:同单位体积的能量耐受,主要体现在ZnO芯片击穿。其主要原因是由于电流分配不均匀导致热能汇集某一点,**终归结于微观组织结构的不均匀性所致。这就要求尽可能从制造工艺上提高ZnO芯片结构和成分均匀性、减少陶瓷本体内部缺陷。 在原料的选用上,纳米ZnO粒子作为联系宏观物体及微观粒子的桥梁,其表面效应伴随着粒径的减小,表面原子数的迅速增加,纳米粒子的表面积、表面能都迅速增大。表面原子周围缺少相邻的原子,有许多悬空键,具有不饱和性质,.电联港电器|||电涌保护器生产商 ,易与其它原子相结合而稳定下来,故具有很大的化学活性。 在添加剂的选用上,使用易于分散、活性较高的改性纳米BiO 3 ,有助于提高烧结过程中的传质速度,.电联港电器|||电涌保护器生产商 ,有助于改善液相对界面的侵润性,形成良好的晶界面。纳米材料的配方、新型高效分散设备的应用和窑炉曲线的调整,北京电联港电器设备有限责任公司,电联港电器,对于芯片均匀 性改善均起到显著作用,对于单位体积能量耐受能力提高起到显著作用。 热能聚中技术 1、高安全性:热能聚集人为控制在中心区域;非中心区域的温度,要远低于中心区域。从而保障了热脱离器脱离前,非中心区域的温度,一直处于安全温度;避免热脱离器脱离过程中,非中心区域的某点温屮度,可能已经超过甚至远超过警戒值,进而可能引发火灾,保障了客户设备的安全运行。 2、TOV快速、准确:热能聚集人为控制在中心区域;芯片的热能,传导到脱离器的传导距离**短、传导热能**多、传导热能**集中、传导速度**,保障热脱离器能够**速度准确脱离。保障了客户设备的TOV的快速、准确。 SPD选型原则 1、级间配合:电涌保护器SPD2 安装在 SPD1的下游, 通常它的各项参数指标(Imax, In, Ures)都比 SPD1小。但如果它与 SPD1安装得过近, SPD2 有可能比 SPD1更早动作, 从而要承受本由 SPD1承受的高能量。 一定要按逐级分流、分级保护的方法,才能保证SPD即有很长的寿命,又能把电源系统雷击电涌电压限制在设备能承受的水平内。 2、15米原则:当进线端的SPD与被保护设备之间的距离 > 15 米, 应在离被保护设备尽可能近的地方安装另一个电涌保护器 3、10米原则:当保护SPD1和SPD2作为级联安廾装时,SPD1和SPD2之间的**短距离:10 米。目的为了延迟SPD2上雷击波的到达,以使尽可能多的能量被SPD1释放。 4、50CM原则:进线和出线可以直接并接,也可以用V形接法(凯文接线)连接。直接并接要求a+b≤0.5m, 而V形接法只要求a≤0.5m,以减少引线电感电压降对被保护设备的冲击。 .电联港电器|||电涌保护器生产商 共0条 相关评论 |